インフィニオンが業界初の宇宙認証シリアル インターフェースF-RAMリリース

過酷な環境向けに2 Mb容量の不揮発性ストレージを提供

インフィニオン テクノロジーズ傘下のインフィニオン テクノロジーズLLCは本日、航空宇宙向けに業界初の耐放射線性 (RAD HARD) シリアル インターフェース強誘電体 RAM (F-RAM) を出荷開始したことを発表しました。この新しいデバイスは、卓越した信頼性とデータ保持を実現し、宇宙アプリケーション向けの不揮発性EEPROMやシリアルNORフラッシュ デバイスよりも優れたエネルギー効率を提供します。

　　　　　　　
インフィニオンのメモリ製品群にQML-V認定F-RAMが加わることで、ほぼ無制限の書き込み回数や、即時の不揮発性書き込み技術、100年を超えるデータ保持といったメリットを宇宙アプリケーションにもたらします。
耐放射線性F-RAMは、シリアルNORフラッシュやEEPROMの直接的な代替品として、ミッション クリティカルなデータのロギングや、テレメトリ ストレージ、コマンド&コントロール キャリブレーションデータの格納に最適なものとなります。また、この新しいデバイスは、マイクロコントローラーやFPGA、ASICのブート コード ストレージ ソリューションにも理想的なソリューションです。
　　　　　　　　
業界標準のSPI (Serial Peripheral Interface) プロトコルに準拠することで使いやすさを向上させ、パッケージ サイズを小さくし、より少ないピン数を実現しています。シリアル プロトコルは衛星や宇宙アプリケーションでますます使用されるようになっており、現在複数のサプライヤーがSPI対応の宇宙用プロセッサ、FPGA、ASICを提供しています。
　　　　　　　　
インフィニオン テクノロジーズの航空宇宙・防衛担当VPフェローであるヘルムート プフナー (Helmut Puchner) は、「宇宙機器用途向けの高信頼性ソリューションのリーダーであるインフィニオンは、IR HiRelのビジネスおよび宇宙空間での使用が可能なメモリを通じて、次世代宇宙アプリケーション向けに最も信頼性とエネルギー効率の高いメモリの提供に取り組んでいます。新しく発表した耐放射線性F-RAMデバイスは、他デバイスと比較して低い消費電力で優れた書き込み性能を提供し、より少ない部品で性能を向上させながら信頼性に妥協のないシステム設計をサポートします。我々は、より多くの業界初となる製品を宇宙市場にもたらすことを楽しみにしています」と述べています。
　　　　　　　
SPIインターフェースを持った2 MbのF-RAMは、インフィニオンの耐放射線性不揮発性F-RAMファミリーの最初の製品です。このデバイスは、2.0 V～3.6 Vの動作電圧範囲において、85℃で10兆回の読み出し/書き込みサイクルと120年のデータ保持を実現し、ウェアレベリングなしで実質無制限の書き込み回数を提供します。最小動作電流は最大10 mA、プログラミング電圧は2 Vと非常に低く抑えています。
　　　　　　　　　
耐放射線性F-RAMはまた、-55℃～125℃の軍用規格の温度グレードを必要とする航空電子機器などのアプリケーションに最適であり、16ピンのセラミックSOPパッケージといった小サイズ パッケージにて提供されます。DLAM QML-V認定デバイスは、以下の優れた耐放射線性能を提供します。

• TID (Total Ionizing Dose): >150Krad (Si)
• SEL (Single Event Latch-up): >114 MeV-cm2/mg@115°C
• SEU (Single Event Upset): 耐性あり
• SEFI (Single Event Functional Interrupt): <1.34 * 10-4 err/dev.day

供給体制など詳細
https://www.infineon.com/cms/jp/product/memories/radiation-hardened-high-reliability-memories/