インフィニオンが1200VのSiC MOSFETでCoolSiC™ M1H技術ポートフォリオ拡張、強化された機能で最高のシステム効率を実現

インフィニオン テクノロジーズは、新しいCoolSiC™技術であるCoolSiC™ MOSFET 1200 V M1Hを発表します。この先進的な炭化ケイ素 (SiC) チップは、.XT技術を用いたディスクリート パッケージとともに、好評のEasyモジュール ファミリーにて、幅広く展開されるポートフォリオに実装されます。M1Hチップは高い柔軟性を備えており、太陽光発電システム、急速EV充電、エネルギー貯蔵システム、広範囲の産業用アプリケーションなどの用途に最適です。
　　　　　　
最新のCoolSiC™の技術の進歩により、ゲート動作ウィンドウが大幅に拡大し、オン抵抗が改善されます。同時に、大きなゲート動作ウィンドウにより、スイッチング周波数が高い場合でも制約を受けずにドライバーやレイアウトに起因するゲート電圧のピークに対して高い堅牢性を実現します。M1Hチップ技術で採用されたハウジング技術とパッケージバリエーションにより、設計においるアプリケーションの性能向上に向けた高密度と多くの選択肢を提供します。

Easyモジュールにより高電力密度を実現
M1Hは、好評のEasyシリーズに搭載され、Easy1B、2Bモジュールをさらに進化させます。また、1200Vの新型MOSFET「CoolSiC™」を搭載したEasy 3Bモジュールの新製品を追加いたします。新しいチップサイズを適用することにより、柔軟性を最大化し、最も広範な産業ポートフォリオをカバーします。またM1Hチップは、モジュールのオン抵抗を大幅に改善することができる、より信頼性が高く、高効率なデバイスです。
　　　　　　　　
さらに、過渡的な最大ジャンクション温度は175℃となり、過負荷耐性が向上し、より高い電力密度と故障事象のカバーが可能になります。M1Hは、先代のM1に比べ、内蔵RGが小さく、スイッチング動作の最適化が簡単に行えるようになりました。ダイナミック動作はM1Hチップで維持されています。
　　　　　　　　
超低オン抵抗のディスクリート パッケージ
CoolSiC™ MOSFET 1200 V M1H ポートフォリオには、Easyモジュール ファミリーに加え、超低オン抵抗の7mΩ、14mΩ、20mΩのTO247-3、およびTO247-4のディスクリート パッケージが新たに加わりました。 新しいデバイスは、ゲート ソース間電圧を最大-10Vまで下げたゲート電圧のオーバーシュートとアンダーシュート、アバランシェ耐量、および短絡耐量により、特に設計を容易にします。
　　　　　　　
インフィニオンの.XT接合技術は、以前D2PAK-7Lパッケージでリリースされ、今回はTOパッケージに実装されています。放熱性能は、標準的な接合と比較して放熱率30%以上向上しています。その結果、このような熱的なメリットを活かして最大熱伝導率を15%向上させることができます。
また、スイッチング周波数の向上にも活用でき、電気自動車 (EV) の充電システム、エネルギー貯蔵システムや太陽光発電システムなどで、電力密度の向上と受動部品を減らすことによるシステムコストの削減ができます。システムの動作条件を変えることなく、.XTはSiC MOSFETのジャンクション温度を低下させ、大幅にシステムの寿命とパワーサイクル性能を向上させます。これはサーボドライブなどのアプリケーションでは鍵となる要求です。
　　　　　　　　　　
新しい 1200V CoolSiC™ MOSFET M1H の追加により、SiCベースのアプリケーションの最適化の可能性を広げ、グローバルな世界においてクリーンエネルギーとエネルギー効率化を推進します。
　　　　　　　
CoolSiC™ MOSFET詳細
https://www.infineon.com/cms/jp/product/power/mosfet/silicon-carbide/