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STマイクロエレクトロニクスが性能指数が40%向上した産業用100V耐圧パワーMOSFETを発表

2023.3.22 4:55 pm

STマイクロエレクトロニクスは、100V耐圧のNチャネル型パワーMOSFET「STL120N10F8」を発表しました。同製品は、ゲート・ドレイン間電荷（QGD）とオン抵抗（RDS(on)）がきわめて低く、同等の従来製品と比べて性能指数（オン抵抗 x ゲート電荷）が40%向上しています。
　　　　　　
STL120N10F8には、STの先進的なSTPOWER STripFET F8 酸化膜充填トレンチ技術が活用されており、きわめて低い伝導損失と低ゲート電荷によって効率的なスイッチングを実現します。そのため、最大オン抵抗が4.6mΩ（VGS = 10V）と低く、600kHzまでのスイッチング周波数で効率的に動作可能です。
　　　　　
また、STripFET F8技術により適切な出力容量が保証され、ドレイン・ソース間の電圧スパイク防止やエネルギー損失の最小化に貢献します。ボディ・ダイオードのソフト・リカバリ特性によって電磁干渉（EMI）が低減されるため、製品規格に準拠した最終システムの電磁両立性（EMC）試験を簡単に行うことができます。
　　　　　　　
STL120N10F8は、高効率およびEMIの低減により、ハードスイッチング / ソフトスイッチング・トポロジ両方において電力変換性能の向上に貢献します。さらに、STPOWER 100V耐圧 STripFET F8 パワーMOSFETとして初めて、産業グレード仕様に完全に準拠しています。そのため、モータ制御アプリケーションや、通信 / コンピュータ・システム向け電源やコンバータ、LED / 低電圧照明などに最適です。コンスーマ機器やバッテリ駆動機器にも適しています。
　　　　　　
STL120N10F8は、ゲートしきい値電圧（VGS(th)）が厳密に制御されているため、複数のMOSFETの並列接続による大電流への対応を簡略化します。また、きわめて堅牢で、10μs以内のパルスに対して最大800Aの短絡電流に耐えることができます。
　　　　　　
詳細
https://www.st.com/content/st_com/ja/campaigns/stl120n10f8-industrial-grade-n-channel-low-voltage-mosfet.html?icmp=tt31303_gl_pron_mar2023