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NXP、RFエネルギー向け高効率GaNトランジスタを発表

2019.6.14  12:48 pm

初の2.45GHz RFエネルギー向けGaN-on-SiCトランジスタは、多くのマグネトロンを上回る高効率を提供

NXP SemiconductorsはGaN-on-SiCを使用した初のRFエネルギー向けRFパワー・トランジスタを発表しました。新製品のMRF24G300HSはGaN(ガリウムナイトライド)の高効率を利用し、SiC(シリコンカーバイド)の高い熱伝導性によりCW動作を実現しながら、2.45GHz時に多くのマグネトロンを超える高効率を提供します。

2.45GHzマグネトロンは50年以上にわたり、電子レンジから高出力溶接機に至るまでのコンシューマ/産業アプリケーションで広く使用されてきました。ソリッド・ステート・ソリューションは数年前に市場に登場し、先進制御機能、高い信頼性、使いやすさをもたらしました。電力、周波数、位相のダイナミック調整機能により、加熱対象の材料や食品へのエネルギー伝導の最適化を可能にします。最大定格性能でのトランジスタの長寿命化により、交換の必要性が低減します。しかし、RFエネルギー向けGaN-on-SiCが登場するまで、ソリッド・ステート・デバイスは現在のマグネトロンの性能基準を満たす効率を欠いていました。

MRF24G300HSは330W CW、50V GaN-on-SiCトランジスタで、2.45GHz時に最新のLDMOS技術に比べ5ポイント高い73%のドレイン効率を実現します。GaNの高い電力密度により、小フットプリントで高出力を可能にします。GaN技術は本質的に出力インピーダンスが高く、LDMOSに比べ広帯域整合を可能にします。これにより、設計時間の短縮と製造ラインでの一貫性の確保が実現し、マニュアルでの調整が不要になります。MRF24G300HS RFトランジスタの簡素化されたゲート・バイアシングは、GaNデバイスで一般的にみられる他の複雑な電源オン・シーケンスの手順を不要にします。

NXPの上席副社長兼ラジオ・パワー・ソリューション担当ゼネラル・マネージャーのPaul Hartは、次のようにコメントしています。「スマート制御、ロー・メンテナンス、使いやすさを実現するソリッド・ステートは、スマート・クッキングやインダストリー4.0加熱機器などの新たな用途の可能性を拓きます。真空管の効率障壁を打破することにより、私たちは性能面での妥協なしでお客様による技術革新を可能にします」。

供給
NXPのMRF24G300HS RFトランジスタは現在サンプル供給中で、量産開始は2019年第3四半期の予定です。MRF24G300HS-2450MHZという製品名で2400~2500MHzリファレンス回路を提供しています。NXPのパートナー・プログラムの一環として、Prescient Wireless, Inc.が設計したゲイン45dBの2合成550Wパワーアンプ・パレットがIMS 2019に出展されました。MRF24G300HSのデータシートについては、http://www.nxp.com/MRF24G300HS をご覧ください。

NXP、IMS 2019に出展:The Microwave Hub
NXPは米国マサチューセッツ州ボストンで6月2日から7日まで開催されたIMS 2019(International Microwave Symposium)にThe Microwave Hubを出展し、1つのデバイスの中により多くの機能を集積する可能性を紹介しました。

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