インフィニオンがソースダウン構造のOptiMOS™パワーMOSFETファミリーの新製品PQFN 40Vデバイス発売

独インフィニオン テクノロジーズ社が10月29日付けで発表した資料の日本語訳です。

（2020年10月29日、ミュンヘン（ドイツ））
最新の電力システム設計には、システムレベルのパフォーマンスを最大限のものとするために、高い電力密度レベルと小型フォームファクタが必要です。
インフィニオン テクノロジーズは、コンポーネントレベルでの機能強化を伴うシステムイノベーションに注力し、この課題に取り組んでいます。インフィニオンは、2月に発売した25 Vデバイスに続き、OptiMOS™ 40V低電圧パワーMOSFETを発売します。
フットプリント3.3×3.3 mm2のソースダウン（SD）構造のPQFNパッケージを実現した40 V SD MOSFETは、主にサーバ、テレコムのスイッチング電源、OR-ingおよびバッテリ保護、パワーツール、充電アプリケーションに対応しています。
　　
SDパッケージでは、シリコンが上下逆になっており、ドレイン電位に代わりソース電位がサーマルパッドを介してPCBに接続されています。結果として、RDS（on）を現在のテクノロジーと比較して最大25%と大幅に削減することが可能となります。接合部とケースの間の熱抵抗（RthJC）も、従来のPQFNパッケージと比較し大幅に改善されています。
SD OptiMOSは、最大194 Aの連続高電流に耐えることができます。さらに、最適化可能なレイアウトとPCBを効率的に利用することによって、設計の柔軟性を高めた本製品は、最高のパフォーマンスを生み出すことができます。
　　
供給状況
OptiMOS SD 40 V低電圧パワーMOSFETには、スタンダードとセンターゲートの2つのバージョンを利用できます。センターゲートバージョンは、複数のデバイスの並列操作に適しています。PQFN 3.3×3.3mm2パッケージの2つのバージョンとも、今すぐご注文いただけます。詳細については、www.infineon.com/source-downをご覧ください。