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インフィニオンがパワーエレクトロニクスシステム向けの汎用的な短絡保護回路を搭載したゲートドライバEiceDRIVER™ F3 Enhancedを発表

2022.3.7  3:39 pm

インフィニオンがパワーエレクトロニクスシステム向けの汎用的な短絡保護回路を搭載したゲートドライバEiceDRIVER™ F3 Enhancedを発表

パワーエレクトロニクスの高電力密度化により、システム効率を高めることが重要な課題となっています。しかし、回路短絡が発生した場合、高価なシステム全体が危険にさらされてしまいます。これを防止し、最高の保護機能を備えたシステムを実現するために、インフィニオン テクノロジーズは、絶縁型ゲートドライバEiceDRIVER™ Enhancedのポートフォリオを拡張するF3 Enhanced(1ED332x)ファミリーを発表しました。
このゲートドライバファミリーは、破壊的な短絡を防止するために、信頼性が高く多用途な保護機能を実装しています。これにより、IGBTのような従来のパワースイッチとCoolSiC™ワイドバンド ギャップデバイスの両方を保護します。このドライバ ファミリーは、産業用ドライブ、ソーラーシステム、高速EV充電、エネルギー貯蔵システム、業務用エアコン、その他のアプリケーション向けに設計されています。

インフィニオンがパワーエレクトロニクスシステム向けの汎用的な短絡保護回路を搭載したゲートドライバEiceDRIVER™ F3 Enhancedを発表

EiceDRIVER F3 Enhancedは、300 milワイドボディDSO 16パッケージに搭載され、沿面距離は8 mmと大きくとられています。このシングルチャネル絶縁ゲートドライバは、極めて高い最大同相モード過渡耐性(CMTI)300 kV/usと、最大出力電流8.5 Aを保証します。またこのドライバ ファミリーは、短絡クランプ、アクティブ シャットダウン、アクティブ ミラークランプを備えています。
       
このデバイスは、広い電源範囲に対応し、絶対最大出力電圧40 Vを保証しています。さらに、このドライバファミリーは、高い周囲温度での動作や高速スイッチングアプリケーションに適しており、過酷な環境に最適な製品です。従来のIGBTだけでなく、IGBT7、SiC(炭化ケイ素)MOSFETにとって理想的な製品となっています。さらに、2300 Vの高耐圧により、耐圧1200 Vを超えるパワースイッチにも対応しています。UL 1577およびVDE 0884-11(強化絶縁)認証により、高いアプリケーション信頼性と長寿命を保証します。
       
インフィニオンのエネルギー効率への貢献
https://www.infineon.com/cms/jp/about-infineon/energy-efficiency-technologies/