STマイクロエレクトロニクスのSiC製品、理想汽車が高電圧EV市場への参入加速に向けて採用

STマイクロエレクトロニクスは、中国の新エネルギー車市場の大手で、スマートなプレミアム電気自動車の設計･開発･製造･販売を手がける理想汽車と、SiC（炭化ケイ素）パワー半導体の長期供給契約を締結しました。STは、本契約に基づいてSiCパワーMOSFETを提供し、さまざまな市場における理想汽車の高電圧BEV（バッテリ電気自動車）戦略をサポートします。
　　　　　
電動化と脱炭素化に向けた自動車業界の変化に伴い、優れたエネルギー効率と長い航続距離を実現する高電圧BEVは、自動車メーカーにとってより一般的なものとなりました。レンジ･エクステンダーEVのメーカーとして知られる理想汽車は、同社初のファミリー向け高性能多目的乗用車（MPV）BEVのフラグシップ･モデルを2023年第4四半期に発売し、BEV市場に参入しています。また、より高電圧のBEVモデルの発表も予定しており、優れたEV性能を実現するためにトラクション･インバータに搭載するSiCパワーMOSFETを大量に必要としています。
　　　　　
STのSiCパワー半導体は、より高いスイッチング周波数やブレークダウン電圧、優れた熱抵抗により、性能向上および高効率化に貢献します。これらの特性は、より高い動作電圧が要求されるBEVにおいてきわめて重要です。理想汽車は、発売予定の800V BEVプラットフォームに搭載されるトラクション･インバータに、STの先進的な第3世代1200V耐圧SiCパワーMOSFETを採用します。これにより、業界最高レベルのプロセス安定性、性能、効率、および信頼性を実現します。
　　　　　
理想汽車のサプライ･チェーン担当バイス･プレジデントであるQingpeng MENGは、次のようにコメントしています。
「当社は、お客様の期待を上回るファミリー向けプレミアムEVを提供できるよう取り組んでいます。今回のSTとの契約は、当社のBEV開発に対する強力な注力を示すものです。SiC技術の世界的リーダーとして知られるSTとの協力を通じ、革新的で成功に満ちた今後の関係に期待しています。」
　　　　　
STのSiC技術は、全世界のSiCパワーMOSFET市場において50%を超えるシェアを有し、EVにおける優れた性能を大手自動車メーカーから高く評価されています。STのSiC MOSFETは、オンボード･チャージャやパワー･モジュールに広く使用されています。
　　　　　
STの中国地区セールス & マーケティング担当エグゼクティブ･バイスプレジデントであるHenry CAOは、次のようにコメントしています。
「パワー半導体およびワイド・バンドギャップ半導体技術における世界的リーダーとして、STは主要な自動車メーカーおよびティア1サプライヤと長期供給契約を締結しています。理想汽車とのSiC供給契約は、その他の車載アプリケーションで長期にわたり築いてきた関係をさらに強化する重要なステップです。STは、中国におけるプレミアムEVのトップ･ブランドになるという理想汽車の目標をサポートするとともに、STの革新的なSiC技術により、同社の顧客に優れた自動車性能と航続距離を提供します。」
　　　　　
理想汽車について
理想汽車は、中国の新エネルギー車市場におけるリーダーであり、スマートな高級EVの設計･開発･製造･販売を手がけています。「Create a Mobile Home, Create Happiness」をミッションに、製品、技術、およびビジネス･モデルのイノベーションを通じ、安全かつ便利で、快適なファミリー向けの製品とサービスを提供しています。理想汽車は、中国における長距離航続EVの商品化に成功したパイオニアです。技術を活用してユーザへの価値を創出します。独自の航続距離延長システムや、次世代EV技術、およびスマート･カー･ソリューションの自社開発に注力するとともに、より広いユーザ向けの新しいBEVやEREVを開発し、製品ラインを拡大しています。
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STマイクロエレクトロニクス
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