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STマイクロエレクトロニクスがSiCインバータの設計を簡略化する柔軟性に優れたパワー・モジュール発表

2022.9.9  3:12 pm

STマイクロエレクトロニクスがSiCインバータの設計を簡略化する柔軟性に優れたパワー・モジュール発表

STマイクロエレクトロニクスは、1200V耐圧のSiC(炭化ケイ素)パワーMOSFETを汎用性に優れた構成で内蔵したSTPOWERパワー・モジュール「A2F12M12W2-F1」および「A2U12M12W2-F2」を発表しました。両製品は、STのACEPACK(1) 2パッケージ技術を採用し、高い電力密度を備えるとともに、組立ての簡略化に貢献します。
     
A2F12M12W2-F1は、4パックのモジュールで、小型かつ利便性に優れたフルブリッジ・ソリューションを提供します。DC-DCコンバータなどの回路に最適です。
      
A2U12M12W2-F2は、3レベルT型トポロジを採用し、高導電効率、高スイッチング効率、および安定した出力電圧を備えています。
      
両製品ともに、STの第2世代SiC技術を活用したパワーMOSFETを内蔵しているため、優れた性能指数(オン抵抗 x ダイ面積)により、最小限の損失で高い電流処理性能を実現します。フルブリッジ・トポロジおよびT型トポロジは、いずれも単位面積当たりのオン抵抗が13mΩ(Typ.)と低いため、大電力アプリケーションに最適です。また、高い電力効率を備えるとともに、低熱損失のため温度管理の簡略化にも貢献します。
      
ACEPACK 2パッケージは、効率的なアルミナ基板とDBC(Direct Bonded Copper)によるダイ・アタッチメントを採用し、小型で高い電力密度を実現します。外部との接続にはプレス・フィット・ピンを使用することで、電気自動車(EV)や、EVの充電ステーション / 蓄電システム / 太陽光発電向けの電力変換など、過酷な環境で使用される可能性のある機器の組立てを簡略化します。
また、2.5kVrmsの絶縁性能を備え、内蔵のNTCサーミスタによってシステムの保護および診断が可能です。
       
詳細
https://www.st.com/ja/power-modules-and-ipm/acepack-1-and-2.html?icmp=tt28351_gl_pron_sep2022

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