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Nexperiaが車載/産業アプリケーション向けに電力密度が最高の低RDS(on) 40V MOSFETを発表

2021.5.27  5:22 pm

Nexperiaが車載/産業アプリケーション向けに電力密度が最高の低RDS(on) 40V MOSFETを発表

業界をリードする安全動作領域とアバランシェ特性により耐久性と信頼性を向上

必要不可欠な半導体のエキスパートであるNexperia(本社:オランダ、ナイメーヘン)は、信頼性の高いLFPAK88パッケージに封止した、オン抵抗(RDS(on))が0.55mΩの新しい40VパワーMOSFETとして、車載向けBUK7S0R5-40Hと産業機器向けPSMNR55-40SSHを発表しました。新製品はNexperia製品の中で最もRDS(on)が低い40V製品で、さらに重要な特長として、従来のD2PAK製品と比較して50倍超の電力密度を提供します。また、新製品はアバランシェ・モードとリニア・モードでの性能を向上し、耐久性と信頼性の拡大を実現します。
   
Nexperiaのプロダクト・マーケティング・マネージャーのNeil Masseyは、次のように述べています。
「新しい8 x 8mmのLFPAK88 MOSFETは最新の高性能スーパージャンクション半導体技術と、優れた電気特性と放熱特性で評価されているNexperiaの実績あるLFPAK銅クリップ技術を組み合わせています。これによりオン抵抗を低減でき、パッケージの集積密度向上が可能になり、電力密度の向上とフットプリントの低減が実現します」。
   
新しいパワーMOSFETはサイズがわずか8 × 8 × 1.7mmで、業界をリードするリニア・モード/安全動作領域(SOA)特性を提供し、大電流時に安全で信頼性の高いスイッチングを実現します。1ms、20VDSの動作条件でのSOAは半導体とパッケージの組み合わせにより35Aで、パッケージが支配的な意味合いを持つ10ms、20VDSでのSOAは17Aです。こうした値は競合製品と比べ1.5~2倍、高くなっています。新製品はさらに、理論上の上限値ではなく測定値で、競合製品と比較して2.3Jの最も優れたシングルパルス・アバランシェ定格(EAS)と、500Aの非常に堅牢なID電流定格を提供します。
   
Nexperiaの8 x 8mmのLFPAK88 MOSFETが提供するサイズと性能上のメリットにより、従来型の2個の並列接続部品を1個の新LFPAK88製品で代替でき、製造工程がシンプルになるとともに信頼性が向上します。AEC-Q101認証済みのBUK7S0R5-40Hは車載規格で要求される値に比べ2倍超の信頼性を提供し、ブレーキ、パワー・ステアリング、バッテリ逆接保護、電子ヒューズ、DC/DCコンバータ、モーター制御アプリケーションなどに最適です。産業機器向けPSMNR55-40SSH MOSFETは電動工具、家電、ファン、電動自転車/スクーター/車椅子のバッテリ絶縁、電流制限、電子ヒューズ、モーター制御、同期整流、ロード・スイッチ・アプリケーションなどに最適です。
   
製品仕様やデータシートなどの詳細
http://www.nexperia.com/lfpak88
LFPAK88銅クリップ・パッケージのユニークな構造の詳細
https://bit.ly/3yd47xQ (動画)

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