Nexperiaが2kW以上で動作する80 PLUS® Titaniumクラス電源を可能にする650V GaN FETを発表

部品点数、サイズ、システム・コストを大幅に低減する新パワーGaNソリューション

必要不可欠な半導体のエキスパートであるNexperia（オランダ、ナイメーヘン）は、前世代の技術や競合製品と比較して性能上の大きなメリットを提供する第2世代650VパワーGaN FET製品ファミリの量産を開始したと発表しました。
新パワーGaN FETはオン抵抗（RDS(on)）が35mΩ（代表値）と低く、2kWから10kWまでの単相AC/DCおよびDC/DC産業用スイッチ・モード電源（SMPS）、特に80 PLUS® Titanium効率規格への適合が必要なサーバー/通信電源に最適です。また、同じ出力範囲のソーラー・インバータやサーボ・ドライブにも最適です。
　　　
新650V H2パワーGaN FETはTO-247パッケージで提供され、既定のオン抵抗（RDS(on)）値でダイ・サイズを36%縮小し、安定性と効率を向上します。カスコード構成により複雑なドライバを不要にし、製品開発期間の短縮を可能にします。新製品はハードスイッチングとソフトスイッチングのいずれの構成でも優れた性能を提供し、設計のフレキシビリティを最大限に高めます。
　　　
NexperiaのGaNストラテジック・マーケティング・ディレクターのDilder Chowdhuryは、次のようにコメントしています。
「Titanium規格は80 PLUS(R)仕様の中で最も要求が厳しく、フル負荷条件下で91%超（50%負荷時で96%超）の効率が求められます。従来のシリコン半導体を使用し、2kW以上で動作するサーバー電源アプリケーションでこのレベルの性能を実現するのは複雑で、困難な課題に直面します。Nexperiaの新パワーGaN FETは、部品点数が少なく、小型、低コストで洗練されたブリッジレス・トーテムポール構成に最適です」。
　　　
NexperiaのGAN041-650WSB GaN FETはすでに量産を開始しています。
　　　
製品データシートや概要ビデオなどの詳細については、https://www.nexperia.com/products/gan-fets.html をご覧ください。
　　　
Nexperiaは5月3日（月）から7日（金）までオンラインで開催されるPCIM EuropeのNexperiaブースにGaN FETを出展します。
詳細については、https://pcim.mesago.com をご覧ください。