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STマイクロエレクトロニクスがゲート・ドライバとGaN パワー・トランジスタを集積した 非対称型トポロジ向けのSiPを発表

2021.1.18  3:07 pm

STマイクロエレクトロニクスがゲート・ドライバとGaN パワー・トランジスタを集積した 非対称型トポロジ向けのSiPを発表

STマイクロエレクトロニクスは、シリコン・ベースのハーフブリッジ・ゲート・ドライバと、2つのGaN(窒化ガリウム)パワー・トラジスタを集積した世界初のシステム・イン・パッケージ(SiP)「MasterGaN®」に、非対称型トポロジ向けの新製品であるMasterGaN2を追加しました。同製品は、2個の非対称型GaNトランジスタを搭載し、ソフト・スイッチングや動的整流コンバータ・トポロジに適したGaNソリューションを提供します。
   
MasterGaN2に搭載された2個の650Vノーマリー・オフ型GaNトランジスタは、それぞれオン抵抗(RDS(on))が150mΩと225mΩで、最適化されたゲート・ドライバが結合されています。そのため、一般的なシリコン・ベースの製品と同様に、簡単に使用することが可能です。先進的な集積技術とGaN特有の優れた性能を組み合わせることで、アクティブ・クランプ・フライバックなどのトポロジにおいて、さらなる効率向上、小型化、および軽量化を実現します。
   
MasterGaNは、2個のGaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)と高耐圧ゲート・ドライバを1パッケージに集積しており、必要な保護メカニズムをすべて内蔵しています。また、マイクロコントローラ、DSPユニット、FPGAなどのコントローラ、およびホール・センサといった外付け部品に簡単に接続可能です。ロジック入力は3.3V〜15Vの信号と互換性があるため、回路設計を簡略化による部品コストの削減や、実装面積の小型化、および組立工程の効率化に貢献します。これにより、アダプタや高速充電器の電力密度が向上します。
   
GaN技術は、USB-PDアダプタやスマートフォン充電器の高速化を実現します。
MasterGaNは、一般的なシリコン・ベースのソリューションと比較して、充電器とアダプタで最大80%の小型化と70%の軽量化、および3倍の充電速度を実現します。
   
MasterGaN2は、ローサイドおよびハイサイドの減電圧ロックアウト(UVLO)、ゲート・ドライバのインターロック、専用シャットダウン端子、および過熱保護などの保護機能を内蔵しています。また、高電圧パッドと低電圧パッドの沿面距離が2mmを超える高電圧アプリケーションに最適なGQFNパッケージ(9×9×1mm)で提供されます。
   
MasterGaN2は現在量産中で、単価は1000個購入時に約6.50ドルです。
  
詳細 https://www.st.com/ja/power-management/gate-drivers.html

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