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STマイクロエレクトロニクスが高効率スイッチングにより電力損失を大幅に削減する 800V耐圧パワーMOSFETを発表

2021.10.15  2:16 pm

STマイクロエレクトロニクスが高効率スイッチングにより電力損失を大幅に削減する 800V耐圧パワーMOSFETを発表

STマイクロエレクトロニクスは、主要な特性の改善により、システム全体における電力損失の大幅な削減に貢献するスーパー・ジャンクション型の新しいパワーMOSFET「STPOWER MDmesh K6シリーズ」を発表しました。同製品は、LEDドライバ、HIDランプなどのフライバック・トポロジに基づく照明アプリケーションや、アダプタ、フラットパネル・ディスプレイ用の電源に最適です。
    
800V耐圧のSTPOWER MDmesh K6シリーズは、クラス最高レベルの性能と使いやすさを備え、スーパー・ジャンクション技術におけるベンチマークを確立します。また、800Vにおいてきわめて優れた面積あたりオン抵抗(RDS(on))を実現し、高い電力密度と業界最高レベルの効率を両立する小型設計を可能にします。
     
MDmesh K6シリーズのしきい値電圧は、従来品(MDmesh K5シリーズ)よりも低いため、低い駆動電圧で電力損失を低減し、主に0Wのスタンバイ・アプリケーションの効率向上に貢献します。総ゲート電荷(Qg)もきわめて低く、高速スイッチングと低損失を実現します。
     
また、内蔵のESD保護ダイオードにより、パワーMOSFETの全体的な堅牢性が人体モデル(HBM)クラス2まで向上しています。
     
イタリアの革新的なソリッドステート照明メーカーであるTCI社( http://www.tcisaronno.net )の最高技術責任者(CTO) 兼研究開発マネージャであるLuca Colombo氏は、次のようにコメントしています。
「超高耐圧のスーパー・ジャンクション型パワーMOSFETであるMDmesh K6シリーズのサンプルをテストし、評価したところ、面積あたりオン抵抗と総ゲート電荷(Qg)の性能特性がきわめて優れており、大きな感銘を受けました。」
     
MDmesh K6シリーズ初の製品となるSTP80N240K6(RDS(on)max = 0.22Ω / Qgtyp = 25.9nC)は、TO-220スルーホール・パッケージで提供され、現在量産中です。
また、STのeStoreから、無償のサンプルも入手可能です。
https://estore.st.com/en/stp80n240k6-cpn.html?icmp=tt23682_gl_pron_oct2021
DPAKおよびTO-220FPパッケージで提供される製品も、2022年1月に量産開始を予定しています。単価は、1000個購入時に約1.013ドルです。
    
MDmesh K6シリーズは、2022年までに全製品が発表される予定です。
広範な製品ポートフォリオにより、0.22Ωから4.5Ωまでの幅広いオン抵抗範囲と、SMDおよびスルーホールを含む各種パッケージ・オプションに対応します。
    
詳細については、ウェブサイトをご覧ください。
https://www.st.com/ja/power-transistors/mdmesh-k6-series.html?icmp=tt23680_gl_pron_oct2021

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