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インフィニオンがEiceDRIVER™ 1EDBシングルチャネルゲートドライバICファミリに、ガルバニック絶縁を内蔵した150ミルの小型8ピンDSOパッケージを提供

2021.6.8  11:02 am

インフィニオンがEiceDRIVER™ 1EDBシングルチャネルゲートドライバICファミリに、ガルバニック絶縁を内蔵した150ミルの小型8ピンDSOパッケージを提供

2021年6月1日、ミュンヘン (ドイツ)
インフィニオン テクノロジーズは、シングルチャネルゲートドライバICのラインナップを拡充します。新製品「EiceDRIVER™ 1EDB」は、3kVrms(UL1577)のガルバニック入力と出力の絶縁を実現し、堅牢なグランドループの分離を保証します。また、コモンモード過渡耐性(CMTI)は300V/nsを超えており、様々なトポロジーを実現するハードスイッチングアプリケーションに最適なデバイスです。
   
新しい1EDBファミリは、4つの製品(1EDB6275F、1EDB7275F、1EDB8275F、1EDB9275F)で構成され、ハイサイド/ローサイドの両方のアプリケーションに最適化されています。これらの製品は、サーバや通信用のスイッチモード電源(SMPS)や無停電電源装置(UPS)などの大電力アプリケーションでよく見られるPCBレイアウトの問題を解決できます。
電気自動車の充電システムでは、電力密度が高いため、高速スイッチングのパワーMOSFETが必要となります。また太陽光発電インバータでは、スイッチング損失の低減と電力密度の大幅な向上が可能なシリコンカーバイドMOSFETが利用されています。新しい1EDBファミリは、これらのアプリケーションに対応し、高いシステム効率と堅牢で安全なシステム動作を実現します。
   
すべての製品は、設計を容易にするために、非常に低い抵抗(0.95Ω)のソースと(0.48Ω)のシンクを別々に出力しており、代表的な駆動力はソース5.4Apeak、シンク9.8Apeakです。この機能は、パワーMOSFETのスイッチング損失を低減する上で重要な役割を果たします。入力から出力までの伝搬遅延精度は±4nsで、高速スイッチングアプリケーションに不可欠なスイッチングロスを削減します。また、出力段のクランプ速度は20nsと短く、特に起動時の機能的に安全なシステム動作をサポートします。
   
以下4 種類の出力不足電圧ロックアウト(UVLO)オプションを選択できます。
• 4.0V for logic-level MOSFETs(1EDB7275F)
• 7.0V for normal-level MOSFETs(1EDB8275F)
• 12V for CoolSiC™ MOSFETs 650 V(15 V driving scheme, 1EDB6275F)
• 14V for CoolSiC™ MOSFETs 650 V(18 V driving scheme, 1EDB9275F)

インフィニオンがEiceDRIVER™ 1EDBシングルチャネルゲートドライバICファミリに、ガルバニック絶縁を内蔵した150ミルの小型8ピンDSOパッケージを提供
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