STマイクロエレクトロニクス、電力供給アプリケーションの消費電力と基板面積を削減する低抵抗パワーMOSFETを発表

先進的なSmart STripFET F8パワー･テクノロジーを活用し、静特性の最適化とダイ･サイズの小型化を実現

-2026.4.7発表-
STマイクロエレクトロニクスは、新しい「Smart STripFET F8」テクノロジーにより最適化された導通損失と小型ダイ寸法を実現した、低オン抵抗（RDS(on)）のパワーMOSFETシリーズを発表しました。車載機器の配電やバッテリ管理など、スペースに制約のあるアプリケーションに最適な製品となっています。
　　　　　　
この新シリーズの最初の製品となる「STL059N4S8AG」は、0.59mΩのオン抵抗を実現し、PowerFLAT 5 x 6パッケージで提供される、40V / 420A Nチャネル･エンハンスメント･モードMOSFETです。コンパクトなパッケージにより基板面積を削減し、小型制御モジュールの設計を簡略化しながら、その高い熱伝導性と高効率な電力消費によって、厳しい信頼性要件にも適合します。また同製品の最高動作温度は、175°Cまで拡張されています。
さらに同製品は、AEC-Q101に準拠する車載対応品として提供され、車載機器の組立工程で採用されている自動光学検査に対応するウェッタブル･フランク･パッケージを採用しています。
　　　　　　　
STのSmart STripFET F8テクノロジーは、従来のSTripFET F8をベースにそのトレンチ･ゲートを改良し、オン時の特性とサイズ効率をより強化しています。
今回発表された製品は、導通損失を最小化することが全体的な効率を改善するための鍵となるアプリケーションに最適です。同製品は特に大電流の配電に適しており、回路遮断を調整可能なSTi²Fuse VIPowerゲート･ドライバと効果的に組み合わせることによって、PCB回路基板やコネクタ、配線を保護します。
Smart STripFET F8 MOSFETは、車載用アプリケーションにおいて消費電力を削減することで、より多くのエネルギーをバッテリから車載電気システムに効率的に供給できるため、走行距離の延長に貢献します。また電池セルの状態のモニタリング、バランシング、そして保護を主要な役割とするバッテリ･マネージメント･システム（BMS）においては、MOSFETの低オン抵抗により、バッテリの充放電中の効率が向上されます。
　　　　　　
詳細
https://www.st.com/content/st_com/ja/campaigns/stripfet-f8-n-channel-low-voltage-power-mosfets-for-automotive-applications.html
STマイクロエレクトロニクス
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