オンセミ、Sineng Electricの先進的な太陽光発電およびエネルギー貯蔵ソリューションを支援

EliteSiC技術により、Sinengの高出力エネルギー貯蔵システムおよび太陽光インバータの効率・電力密度・長期信頼性を向上

-2026.3.31発表-
オンセミは、ハイブリッド・パワー・インテグレーテッド・モジュール（PIM）が、Sineng Electricの次世代430 kW液冷ストリング型エネルギー貯蔵システム（ESS）および320 kWユーティリティ規模太陽光インバータに採用されることを発表しました。
本デザインウィンは、成長を続ける再生可能エネルギーおよびAIインフラ市場に向けて、高性能かつ将来対応型ソリューションを提供してきたオンセミとSinengの長年にわたる協業関係をさらに発展させるものです。
　　　　　
業界をリードするパワーモジュール技術
Sineng Electricの新プラットフォームの中核を成すのは、オンセミの最新世代Field Stop（FS7）絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ (IGBT)およびF5BPパッケージ内のシリコンカーバイド（SiC）ハイブリッド・パワー・インテグレーテッド・モジュール（PIM）です。
これらのモジュールは、ユーティリティ規模の太陽光ストリングインバータおよびエネルギー貯蔵システム（ESS）の出力向上を目的として設計されています。
　　　　　
従来世代と比較して、同一フットプリント内で32％の電力密度向上と0.1％の効率向上を実現しており、太陽光インバータの総システム出力を320 kWから350 kWへ引き上げることが可能となります。
　　　　　
効率と信頼性の新たな基準を確立
オンセミのhybrid F5BP PIMsは、FS7 IGBT および EliteSiCダイオード技術を統合しており、従来世代と比べて最大8％の電力損失低減、10％のスイッチング損失低減を実現しています。
また、高度なDirect Bonded Copper(DBC）基板設計により、浮遊容量を最小化するとともに、ヒートシンクに対する熱抵抗を9.3％低減しています。
スイッチング損失および熱抵抗の低減を組み合わせることで、従来世代の設計と同一重量・同一密度において、最大32％高いシステム出力を可能にします。さらに、最適化された電気レイアウトおよび革新的なベースプレート設計により、熱マネジメント性能を向上させています。これらの特長の組み合わせにより、優れたシステム性能と長期信頼性が実現されます。
　　　　　
従来世代のモジュールと比較した場合、オンセミの最新FS7ベース・ハイブリッドPIMは、スイッチング損失の低減および熱抵抗の改善により、Sinengの新しい430 kWストリング型ESSにおいて、以下のシステムレベルでの改善を可能にします。

ベンチマーク試験で実証されたモジュールレベルの効率向上を元に、round-trip efficiency (RTE)を0.75％向上
補助電力消費を5％削減し、総運用コストを低減
高電力密度化により、必要なモジュール数を削減し、部品コストを低減
高負荷時でも低温動作を実現し、信頼性を向上

　　　　　
より安定した信頼性の高い再生可能エネルギーグリッドの実現
Sineng ElectricのR&D部門ゼネラルマネージャーであるJianfeng Sun氏は、次のように述べています。
「ユーティリティ規模の事業者は、同一フットプリントからより多くの電力を引き出しながら、ライフサイクルコストを削減することに注力しています。オンセミのF5BPパッケージ・ハイブリッドモジュールを430 kW ESSおよび320 kWインバータ・プラットフォームに統合することで、高電力密度によるシステム定格の向上と、変換効率の改善という2つの重要な課題に同時に対応できます。これらの積み重ねが、より安定した再生可能エネルギーグリッドの実現につながります」
　　　　　
オンセミのIGBTパワー部門バイスプレジデント兼ゼネラルマネージャーであるSravan Vanaparthyは、次のように述べています。
「多くの開発者は、既存レイアウトに適合し、熱設計を簡素化し、エネルギー損失を低減できるソリューションを求めています。当社のF5BPモジュールにFS7 IGBTとEliteSiCダイオード技術を組み合わせることで、フットプリントを拡大することなく、より高い変換効率と電力密度を実現できます。これにより、同一システムサイズでの出力向上が可能となり、信頼性とライフタイム運用コストの両面で大きな価値を提します」

オンセミ
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