STマイクロエレクトロニクス、モーション制御と電力変換向けにスマート保護機能を備えた高速スイッチングのGaNドライバを発表

-2026.4.6発表-
STマイクロエレクトロニクスは、幅広い電力 / モーション制御アプリケーションにおいてGaN（窒化ガリウム）の優れた効率、熱性能、小型化を実現する、新しい高速ハーフブリッジ･ゲート･ドライバ2種を発表しました。
　　　　　　
「STDRIVEG212」および「STDRIVEG612」は、それぞれ最大220Vおよび600Vのハイサイド電圧で動作し、エンハンスト･モードGaN HEMTに対して厳密に制御された5Vのゲート駆動信号を供給します。両製品とも、ハイサイド / ローサイドの5Vリニア･レギュレータ（LDO）、ハイサイド側のブートストラップ･ダイオード、ならびに低電圧ロックアウト（UVLO）などの保護機能をコンパクトなQFNパッケージに集積しています。
　　　　　　　　　
高速起動の電圧レギュレータを集積しているため、ドライバの出力電圧を安定化し、精密なゲート制御を可能にしています。また、過電流の検出時に両方のGaN HEMTをオフにするコンパレータも組み込んでいます。
スマート･シャットダウン（smartSD）機能により、十分冷却されるまでオフ状態を自動的に維持し、フォルト･ピンから過電流、過熱、UVLOのレポートを取得できます。
　　　　　　　　　　
両製品は、特にモーション制御などハード･スイッチングのアプリケーションにおいてGaN技術の利点を最大化するという特徴があります。ハイサイド / ローサイド間の伝播遅延時間はわずか50nsに収まるように厳密にマッチングされており、5µsのハイサイド起動時間と±200V/nsのdV/dt過渡電圧にも耐えられるため、回転数を増やすことができます。
　　　　　　　　
内蔵LDOは大電流容量を備え、シンク側とソース側に独立したパスを提供します（シンク側は最大1.8A / 1.2Ω、ソース側は0.8A / 4.0Ω）。このゲート･ドライバの出力アーキテクチャにより、回路設計者はターンオン時とターンオフ時のインピーダンスを個別に設定でき、それぞれのdV/dtとdI/dtを最適化できます。これにより、ターンオフ･ダイオードが不要になります。
この結果、部品点数の削減、ゲート･ループ･インダクタンスの低減、マージン増加によるターンオフの高速化が可能になり、不要な誘導ターンオンを防止できます。
　　　　　　　
両製品とも、20Vまで耐えられるロジック入力ピンと、停止中の消費電力を抑制する専用シャットダウン･ピンを備えており、システムの設計と集積を簡略化できます。また、両製品に対応した評価ボード「EVLSTDRIVEG212」も現在提供されています。
　　　　　　　　　
STDRIVEG212とSTDRIVEG612は産業機器向けの製品で、-40°C ~ +125°Cの温度範囲で動作が保証されています。どちらも現在量産中で、QFNパッケージ（4 x 5mm）で提供されます。単価は、1000個購入時に約1.25ドルです。

詳細
https://www.st.com/content/st_com/ja/campaigns/innovative-gan-gate-drivers-for-advanced-efficiency-and-reliability-asp-mcmotdri.html
STマイクロエレクトロニクス
http://www.st.com