2月20日 オンライン配信 ビギナーのための『パワー半導体』入門オンラインセミナー－電子デバイス産業新聞

今回のセミナーでは､「パワー半導体」を核に、現状の確認と新材料（ＳｉＣとＧａＮ）を含む今後の方向性を主テーマに据えプログラムを構成しました。難しい理論や原理は二の次、三の次の位置付けで､講演内容には組み込んでいません。このため、同分野をご専門に研究・開発されているエンジニアの方々には不向きなセミナーになっています。
すべては「顧客とのコミュニケーションを円滑に行うため」、これが同セミナーの最大の目標です。
　　　　
【第１部　ようこそ「パワー半導体」の世界へ】
　１．パワーエレクトロニクス技術とはなにか
　２．パワー半導体を使うと、なぜ省エネになるのか
　３．パワー半導体の仕事とは
　４．どんな用途に何が使われているのか
　５．パワー半導体に要求される特性とは何か
　６．パワー半導体のマーケット動向と今後の展望
　７．パワー半導体の誕生と進化のあゆみ
　　　　
【第２部　パワー半導体の製造プロセスとモジュール化】
　１．パワー半導体の製造プロセスと装置
　２．パワー半導体をモジュール化パワーデバイスへ
　３．パワー半導体の品質・信頼性について
　　　　
【第３部　Ｓｉ系パワー半導体の限界と今後の進化の方向性】
　１．Ｓｉ-ＭＯＳＦＥＴ,　ＳＪ-ＭＯＳＦＥＴの展望
　２．Ｓｉ-ＩＧＢＴの展望
　　　　　
【第４部　新材料ＳｉＣ、ＧａＮ登場と今後の展望】
　１．ＭＯＳＦＥＴかＩＧＢＴか
　２．なぜＳｉＣが注目されているのか
　３．ＳｉＣパワーデバイスの開発（最近のトピックから）
　４．ＳｉＣモジュールの課題
　５．なぜＧａＮが注目されているのか
　６．ＧａＮパワーデバイスの開発（最近のトピックスから）
【第５部　最近話題の酸化ガリウム、ダイヤモンドについて】
【第６部　高温実装技術】
　　　　
講師：国立大学法人筑波大学　数理物質系　物理工学域　教授　岩室　憲幸
　　　　
　　　　　
ビギナーのための『パワー半導体』入門オンラインセミナー
https://www.sangyo-times.jp/seminarDtl.aspx?ID=483
　　　　
日時：2023年2月20日(月)　10：00～18：00
配信方法：Web会議ソフト「Zoom」を使用してのオンライン配信
参加費：33,000円（税込）／１名（資料ダウンロードあり）
主催：電子デバイス産業新聞