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9月20日 オンライン配信 ビギナーのための『パワー半導体』入門オンラインセミナー―電子デバイス産業新聞

今回のセミナーでは、「パワー半導体」を核に、現状の確認と新材料(SiCとGaN)を含む今後の方向性を主テーマに据えプログラムを構成しました。難しい理論や原理は二の次、三の次の位置付けで、講演内容には組み込んでいません。このため、同分野をご専門に研究・開発されているエンジニアの方々には不向きなセミナーになっています。
     
■プログラム
【第1部 ようこそ「パワー半導体」の世界へ】
 1.パワーエレクトロニクス技術とはなにか
 2.パワー半導体を使うと、なぜ省エネになるのか
 3.パワー半導体の仕事とは
 4.どんな用途に何が使われているのか
 5.パワー半導体に要求される特性とは何か
 6.パワー半導体のマーケット動向と今後の展望
 7.パワー半導体の誕生と進化のあゆみ
     
【第2部 パワー半導体の製造プロセスとモジュール化】
 1.パワー半導体の製造プロセスと装置
 2.パワー半導体をモジュール化パワーデバイスへ
 3.パワー半導体の品質・信頼性について
     
【第3部 Si系パワー半導体の限界と今後の進化の方向性】
 1.Si-MOSFET, SJ-MOSFETの展望
 2.Si-IGBTの展望
      
【第4部 新材料SiC、GaN登場と今後の展望】
 1.MOSFETかIGBTか
 2.なぜSiCが注目されているのか
 3.SiCパワーデバイスの開発(最近のトピックから)
 4.SiCモジュールの課題
 5.なぜGaNが注目されているのか
 6.GaNパワーデバイスの開発(最近のトピックスから)
【第5部 最近話題の酸化ガリウム、ダイヤモンドについて】
【第6部 高温実装技術】
      
 講師:国立大学法人筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授 岩室 憲幸
      
      
ビギナーのための『パワー半導体』入門オンラインセミナー
https://www.sangyo-times.jp/seminarDtl.aspx?ID=461
        
日時:2022年9月20日(火) 10:00~18:00
配信方法:Web会議ソフト「Zoom」を使用してのオンライン配信
参加費:33,000円(税込)/1名(資料ダウンロードあり)
主催:電子デバイス産業新聞

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