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9月21日~23日 オンライン開催 Nexperia Power Live

車載/産業アプリケーション向けGaN、MOSFET、パワー・ダイオード、バイポーラ・トランジスタに関するライブ・ディスカッション

Nexperia Power Live

   
成功裏に終了した昨年の初回イベントをベースとし、3日間に拡大した今回の「Power Live」では、車載/産業アプリケーション向けGaNデバイス、MOSFET、パワー・ダイオード、バイポーラ・トランジスタなどのパワー・エレクトロニクスに関する広範なテーマを取り上げます。
   
主なセッション:
   
完全なMOSFETの電熱モデル
NexperiaのMOSFETの新しい電熱モデルの詳細プレビュー。このモデルはシミュレーションの範囲内でデバイスの静的/動的特性を正確に示すとともに、通常は設計プロセスの後半で判明するEMC問題のリスク低減を可能に
   
650V GaN CCPAK評価
ダブルパルス試験を使用するGaN CCPAKデバイスのベンチマーキング向けにリリース予定の評価ボードの特長と利点
   
産業アプリケーションでパワーMOSFETを設計に使用
500A MOSFETの必要性、主要特性の最適化、突入電流と高温時の安全動作領域(SOA)曲線の管理
   
ショットキー整流器か、シリコン・ゲルマニウム整流器か、リカバリ(PN)整流器か?
最適なパワー・ダイオードの選択によってLEDドライバやソレノイド駆動などの車載アプリケーションで効率と信頼性の向上を実現する方法
    
このイベントでは、設計に電源部品を使用する際の現在最大の技術的課題について、エンジニアを招いてディスカッションし課題解消につなげるライブ・プレゼンテーションが行われます。さらに、Nexperiaの大切なパートナーのケース・スタディや貢献事例の紹介も予定されています。また、イベント参加者は開催期間を通じて、Nexperiaの世界各地のラボからNexperiaのパワー・エキスパートが行う最新技術のデモも視聴できます。
    
Nexperiaと業界のエキスパートによるGaNパネル・ディスカッションが、「Power Live」のクロージングとして9月23日(木)に行われます。このディスカッションは技術と市場に関する革新的なアイデアや影響について話し合うオープン・フォーラムです。参加者からの質問を受け付けています。
    
Nexperiaのマーケティングのグローバル・ヘッドのRobby Ferdinandusは、「Power Live」について次のように述べています。「昨年の第1回『Power Live』への反響は素晴らしいものでした。700名を超えるエンジニアから参加登録がありました。その多くが、同じような問題意識を持つ人々と共通の設計課題について話し合うライブ・セッションに参加できたことを、特に有意義だと感じていました」。
    
    
Nexpwria Power Live
https://www.nexperia.com/power-live.html
   
・会期:9月21日(火)~23日(木)
・形式:オンライン開催
・主催:Nexperia

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