2017年5月23日 プレスリリース

IDT、業界初のLRDIMM、RDIMMおよびNVDIMM向け3200 MT/s対応チップセットを発表

DDR4のスピードと密度を向上するため、最新のIDTチップセットに先進機能を統合

 

IDT® (Integrated Device Technology, Inc.、本社:米国カリフォルニア州サンノゼ、NASDAQ:IDTI)は本日、4RCD0232Kレジスタと4DB0232Kデータバッファのお客様およびエコシステムパートナーへのサンプル提供を開始すると発表しました。このチップセットには、DFE(Decision Feedback Equalization)、専用NVDIMM通信ポート、微細な出力信号リングバック制御など、3200 MT/s対応デバイス用に定義された最新世代のJEDEC標準を組み込んだ新機能が統合されています。さらに新機能と性能の追求に加えて、現在業界で提供されているDDR4チップセットの中ではもっとも消費電力が低くなっています。

 

マルチスロットメモリサブシステムのスピードが増大するにつれて、リングバックや クロストークにより信号電圧振幅の品質が劣化するため、信号の論理レベルの認識が困難になります。DFEは、図1のように雑音から元の信号を回復し、さらに強化する技法です。DFEは最近JEDEC標準に組み込まれたばかりですが、IDTは2世代前のデバイスから、この機能をプロプライエタリなパフォーマンス拡張機能としてサポートしてきました。

 

IDTはDFEの長所を実現するため、ソフトウェアおよびファームウェアを改良して必要なシステムの開発を促進するために主要なエコシステムパートナーやコントローラベンダと数年間にわたって取り組み、最新の仕様改訂への採用に向けて先頭を切って提唱してきました。

IDT_20170523

図1  DFEのシグナルアイへの効果

 

IDTはまた、NVDIMMの密度とパフォーマンスの向上のための機能一式も組み込みました。チップセットとNVDIMMコントローラの間の新しい通信インタフェースに加え、致命的な電源喪失時に高速で信頼性の高い回復を行う自動ステートマシンは、サーバーやストレージにおけるパフォーマンスの加速と新世代のフォールトトレランスを可能とします。このチップセットは前世代のNVDIMMで使用していた外部コンポーネントの多くを内蔵しており、密度とパフォーマンスが向上するだけでなく、コストも節減できます。このチップセットは、IDTが先日発表したP8800 NVDIMM PMICとシームレスに組み合わされ、バックアップ電源管理や電圧フェイルオーバー、電源シーケンスのためのプログラム制御に対応する包括的なソリューションを提供します。


「私たちは帯域幅と密度の向上を目指して、DRAMとストレージクラスのメモリソリューションの拡張に取り組んできましたが、今回発表したIDTチップセットは、この数年間の努力の結晶です。」と、IDTのメモリインタフェース部門のバイスプレジデント兼ゼネラルマネージャのRami Sethiは述べています。「IDTはお客様やエコシステムパートナーと緊密に協力して、マルチスロットトポロジのスピードのさらなる高速化を目標に、メモリサブシステムにおける高速シリアルレシーバに共通の技術を提供します。」

「マイクロンは現在IDT DDR4 3200レジスタとデータバッファのエンジニアリングサンプルを検証中です。」と、マイクロン社のCompute and networking business unit のマーケティング・バイスプレジデントのMalcolm Humphreyは述べています。「このチップセットにより、コスト効果の高いLRDIMM 3200ソリューションが実現し、NVDIMM設計の高速化の可能性が生まれます。」

 

IDTの最新のチップセットは、公開されているJEDEC仕様に完全に準拠していることが検証されています。

 

IDTのDDR4ソリューション詳細
http://www.idt.com/go/DDR4

 


■日本アイ・ディー・ティー(IDT)合同会社
http://www.idt.com

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