2017年4月11日 プレスリリース

NXP、RFパワーの設計を迅速化する新しい65V LDMOS技術を発表

使いやすさに優れた新MRFXシリーズと同フラッグシップ製品の1800Wトランジスタ

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RFパワーのリーダー企業であるNXP Semiconductors N.V.は、最大65Vまでの電源電圧に対応する新LDMOS(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor:横方向拡散金属酸化膜半導体) RFパワートランジスタ技術を発表しました。この超高電圧LDMOSプロセスは、「MRFXシリーズ」という新世代製品の開発を促進します。

RFがさまざまな産業用アプリケーションで普及する中で、NXPはRFパワーの設計サイクルを短縮する技術を提供しています。

 

 

・高出力化:高電圧化は高出力を可能にし、統合するトランジスタ数の低減とともに、パワーアンプの簡素化とサイズ低減を実現します。

 

・開発期間の短縮:高電圧化により、適切な出力インピーダンスを維持しながら出力電力を増加できます。これにより、特に広帯域アプリケーションで50Ωへのマッチングを簡素化します。マッチング検討時間の削減により、開発期間を大幅に短縮します。

 

・設計の再利用:こうしたインピーダンスの利点により、現行の50V LDMOSトランジスタとのピン互換性も確保でき、RF設計の際に既存のプリント基板(PCB)設計の再利用が可能になり、製品開発期間を短縮できます。

 

・管理可能な電流レベル:高電圧化によりシステムの電流を低減し、DC電源上のストレス軽減と磁気放射の低減を実現します。

 

・広い安全マージン:NXPの65V LDMOS技術は降伏電圧が182Vで、これにより信頼性が向上し、効率的な基本設計が可能になります。

 

 

MRFXシリーズの初の製品は、業界で最もパワフルなクラスの連続波(CW)RFトランジスタであるMRFX1K80です。1MHzから470MHzのアプリケーション向けに65V時に1800WのCWを提供し、65:1の電圧定在波比(VSWR)への対応が可能です。


NXPのマルチマーケットRFパワー担当シニア・ディレクター兼ゼネラル・マネージャーのPierre Pielは「私たちの1250W、1500W、新しい1800Wトランジスタ間のドロップイン互換性により、お客様は複数の最終製品向けに単一のスケーラブルなプラットフォームを開発できるようになります」と述べ、さらに「私たちは今回発表した新世代技術により、お客様の性能と堅牢性の高い製品の迅速な提供を支援します」と語りました。


MRFX1K80はレーザー生成、プラズマ・エッチング、磁気共鳴画像診断(MRI)、皮膚治療、ジアテルミー(高周波治療)のほか、粒子加速器や科学機器などの産業、科学、医療(ISM)機器をターゲットとしています。また、無線や超高周波(VHF)テレビ放送トランスミッタにも使用できます。現在、真空管を使用している産業用暖房、溶接、硬化、乾燥機器も、ソリッド・ステート技術が実現する制御レベル向上のメリットを享受できるようになります。

 

 

・供給と開発サポート
エアキャビティ・セラミック・パッケージを採用したMRFX1K80Hトランジスタは現在サンプル出荷中で、量産開始は2017年8月の予定です。また、27MHzと87.5MHz~108MHzのアプリケーション向けのリファレンス回路を提供しています。NXPは数か月以内にオーバーモールド・プラスチック版のMRFX1K80Nの提供を開始します。MRFX1K80Nは熱抵抗を30パーセント低減し、信頼性と使いやすさを向上します。価格や詳細については、NXPの営業所または正規販売代理店にお問い合わせください。

詳細
http://www.nxp.com/65V
http://www.nxp.com/jp/products/rf/rf-power-transistors/rf-broadcast-and-ism/1-600-mhz-broadcast-and-ism/1800-w-cw-over-1.8-470-mhz-65-v-rf-power-ldmos-transistor:MRFX1K80H?tid=vanMRFX1K80H

 

 

■NXPジャパン株式会社
http://www.nxp.com/jp/

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